檢索結果:共4筆資料 檢索策略: "應用科技研究所".dept (精準) and ckeyword.raw="熱調制反射光譜"
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本論文以化學氣相傳導法成長Ga1-xInxSe (0≦x≦0.5) 之三元化合物系列半導體,並對此系列晶體進行晶體結構分析、光學與電性量測,藉此研究及討論其特性。此外因為硒化鎵與硒化銦皆為發光訊號極…
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本論文使用化學氣相傳導法( Chemical Vapor Transport,CVT)並以碘作為傳導劑成長鉻摻雜之二硒化鉬 (Mo1-xCrxSe2,x=0, 0.01, 0.05, 0.1…
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本論文將研究高導電度硫屬化合物之傳輸特性,首先,我們使用化學氣相傳導法(Chemical Vapor Transport,CVT)並以碘作為傳導劑成長二硫化鈦(TiS2)與二硒化鈦(TiSe…
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硒化鎵 (Gallium Selenide, GaSe) 為 III-VI 族層狀半導體,不同層之間,由弱凡得瓦爾力 (Van der Waals force) 鍵結,使得層與層之間可以較容…